半導体洗浄

  • 半導体洗浄は半導体製造に欠かせない重要なプロセスです。しかし、従来の方法では大量の薬品を使用するので、環境負荷が大きいことが問題となってきました。
    オゾンによる洗浄は、使用後にオゾンが分解して酸素に戻るため、環境負荷が小さく、その普及が進んできております。
    半導体洗浄の分野では、有機物除去や金属除去に効果があるオゾン水濃度として20ppmがよく用いられております。半導体のレジスト剥離という用途の場合には、100ppm以上のオゾン水が用いられることもあります。
    半導体製造用のオゾン水生成装置には、放電式のオゾン発生器で発生したオゾンガスを水に溶解して製造する「オゾンガス溶解式」と、特殊な電極を用いた「電気分解式」があります。
    弊社では、オゾンガス溶解式のオゾン水生成装置を製造販売しております。

    オゾンガス溶解式オゾン水製造装置

    オゾンガス溶解式オゾン水生成装置の概念を図1に示します。
    20ppm程度までのオゾン水生成用としては、オゾン水生成部の構造は図2に示すエジェクターと気液分離容器の組み合わせを用います。
    より高濃度のオゾン水が必要とされる場合には、図3に示すような充填塔方式を用います。これによって100ppm以上の高濃度のオゾン水の生成が可能となります。

    オゾン水による半導体洗浄の未来

    半導体洗浄の既存の方法として、次のようなプロセス例があります。
    1、アセトンボイリングおよびトリクロロエチレンボイリングによる洗浄
    2、水で超音波洗浄
    3、硝酸加熱洗浄
    4、硫酸加熱洗浄
    5、水で超音波洗浄
    6、塩酸と過酸化水素水の混合液による加熱洗浄
    7、フッ酸による洗浄

    これらの工程の全てがオゾン水のみの工程に置き換えられるというのが、台湾科技大学で半導体洗浄の研究をされていた葉文昌准教授(現在島根大学)の話です。

    弊社のオゾン発生器も、太陽電池の製造ライン等に使用されております。 地球環境のためにも、オゾン水のますますの活躍が期待できます。

  • オゾン発生器ED-OG-R4BW

    • 機合成の基礎実験によく用いられる500cc/min以下の領域にて、10vol%以上の高濃度オゾンを発生可能です。

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    オゾン発生器ED-OG-R5

    • ・10vol%以上の高濃度オゾン発生可能
    • ・オゾン発生量最大25g/hr以上。実用を見越した規模で試験することができます。

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    オゾン発生器ED-OG-R6

    • ・空冷かつコンパクトで、小さなドラフトの中に置いても場所を取りません。
    • ・発生オゾン濃度は最大4vol%以上。

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    オゾン濃度計OZM-5000G

    • ・高濃度オゾンを正確に、連続的に測定できる、紫外線式オゾン濃度計。
    • ・100ml/min以下の低流量で測定することも可能です。

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