オゾン水による基板の有機物洗浄試験(1)

試験目的

フォトリソ工程の最終スプレー洗浄においてオゾン水を使用し、洗浄後基板表面の有機物残渣をXPSにて測定、オゾン水洗浄の効果を検証する。

試験条件
使用オゾン発生器 研究開発用オゾン発生器 ED-OG-R4(旧ED-OGM-1)
洗浄水圧力 0.1MPa
O2ガス圧力 0.2MPa
O2ガス流量 0.5l/min
オゾン発生器電流値 1A
オゾン発生器冷却水温度 27℃
オゾン濃度 130g/Nm3
オゾン発生量 6g/hr
洗浄基板製作フロー

基板上にアルミ成膜

→レジスト塗布(54cp)

→プリベーク(恒温槽110℃,5min)

→剥離液槽(2min)

→IPA洗浄槽(2min)

→純水洗浄槽(2min)

→最終スプレー洗浄

洗浄検討
基板No. 洗浄方法 洗浄時間
1 リファレンス -
2 通常洗浄 20sec
3 オゾン水 20sec
4 オゾン水洗浄 40sec
測定ポイント
測定ポイント
結果

C 1sスペクトル(有機物残渣量)

C 1sスペクトル(有機物残渣量)

Al 2pスペクトル(アルミ膜表面状態)

Al 2pスペクトル(アルミ膜表面状態)

C 1sスペクトル (有機物残渣量 面積比)

C 1sスペクトル (有機物残渣量 面積比)

通常洗浄では、有機物の残渣が多い。(主に剥離液、レジスト)

オゾン水洗浄を20sec実施することで、ほぼリファレンスレベルまで有機物残渣が減少している。(40secにて更に残渣が減少している)

アルミの酸化に関しても、リファレンスレベルとほぼ同等であり、40secの洗浄ではアルミ膜に対する影響は見られなかった。

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